光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管，光伏逆变器SiC MOSFET，国产IGBT Hybrid Discrete，IGBT单管，国产混合IGBT单管，国产混合三电平SiC-IGBT模块,SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模块，SOT-227碳化硅肖特基二极管模块，混合SiC-IGBT模块，BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管，国产分立碳化硅MOSFET，国产TO263-7碳化硅MOSFET，国产碳化硅（SiC）MOSFET，储能逆变器SiC MOSFET，光伏
公司介绍
/////////////////////
大芯超导有限公司元器件专业分销商 BASiC基本半导体650V/1200V Hybrid IGBT 单管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射极端子，绕过栅极控制回路上的发射极引线电感，从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并降低开关能量。主要规格有BGH50N65HF1，BGH50N65ZF1，BGH75N65HF1，BGH75N65ZF1，BGH40N120HF特别…
资讯动态
/////////////////////最新供应
/////////////////////热卖商品
/////////////////////